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PLASSYS微波等离子体化学气相沉积系统MPCVD
,样品台旋转功能,微波发生源脉冲模式,3-4英寸样品台 微波等离子体化学气相沉积系统-MPCVD(科研/小批量生产型 ) MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金刚石
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微波等离子化学气相沉积系统,VKTR,WBDQC-4
/㎝2≤0.4外型尺寸(长′宽′高)/mm1100×750×1900该系统既可用作传统的化学气相沉积设备,又可用作微波能化学气相沉积设备,同时又是微波等离子化学气相沉积设备。主要用途:★该系统既可
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微波能化学气相沉积系统,WBQXCJ-4,VKTR
接口电源电压(V)220微波泄漏量/mW/㎝2≤0.4外型尺寸(长′宽′高)/mm1500×750×1550 微波材料学工作站--微波能化学气相沉积系统 主要用途:主要为应用在半导体
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等离子体增强化学气相沉积系统CVD
多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统(CVD)是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术,主要借助微波或射频的方法将目标气体进行电离,促进化学反应在较低的温度下进行,从而在基片上沉积出所期望的
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-4000 (ICPM) 等离子增强化学气相沉积系统
立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrICP离子源高达12”(300mm)直径的样品台 该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的
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NPE-4000 (M) 等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(M) PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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快速热化学气相沉积系统(RTCVD)
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德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备
易燃易爆气体安全阀Gas Shower气浴电极设备外尺寸2000*600*1700mm进口真空泵组电压 3项400V 该PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质
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